Le monde de la recherche scientifique évolue d'une manière extraordinaire dans plusieurs domaines. La dernière découverte vient d'être rendue publique par le journal du CNRS. Elle concerne le stockage de l'information dans des matériaux moléculaires par voie optique qui a été menée par des chercheurs du CNRS et du Laboratoire de chimie de coordination à Toulouse, à leur tête un Algérien, Azzedine Bousseksou, chargé de recherche dans ce laboratoire de renom. Ces chercheurs ont démontré la possibilité d'écrire et d'effacer des informations dans un matériau moléculaire en utilisant la lumière d'un laser à température ambiante. Selon le journal du CNRS, jusqu'à présent, cette opération n'avait été réalisée qu'à basse température. Cette découverte permet, précise le communiqué du CNRS, d'envisager le développement de mémoires d'ordinateur moléculaires à commande optique, à la fois rapides et fiables. L'une des molécules étudiées dans le cadre de ces recherches pourrait servir de support à une électronique à trois bits. « Aujourd'hui, l'électronique moléculaire apparaît comme l'électronique du futur. Par rapport aux circuits intégrés sur silicium, les molécules présentent l'avantage d'être plus petites. Alors que les composants actuels mesurent au moins 70 nanomètres, l'utilisation des matériaux moléculaires permettra de descendre jusqu'à 30 nanomètres, voire plus bas, donc d'en mettre un plus grand nombre par unité de surface et de gagner ainsi en rapidité ou en densité de stockage, dans le cas des mémoires d'ordinateur. En outre, l'électronique moléculaire utilise de faibles courants, ce qui autorisera un gain énergétique par rapport à la consommation électrique des circuits intégrés sur silicium », a-t-on signalé. Le journal du CNRS indique que c'est dans ce contexte que des chercheurs de l'équipe Propriétés physiques moléculaires du laboratoire de coordination en collaboration avec une équipe espagnole et une autre irlandaise ont travaillé sur les propriétés physiques des matériaux pour l'électronique moléculaire. « Ils viennent de mettre en évidence un phénomène encore jamais observé jusqu'ici à 20°C, un composé passe de son état “bas spin” à son état “haut spin”, par éclairement avec un laser vert pulsé », précise le communiqué. Outre les avantages déjà mentionnés de l'électronique moléculaire, ce résultat pourrait se traduire par un gain en temps (l'excitation d'écriture ou d'effacement de l'information ne prend que 8 nanosecondes) et en fiabilité (les composants à commande optique étant « infatigables »). Cette caractéristique permet d'envisager une électronique moléculaire à commande optique, et non plus électrique. L'obtention de la transition à température ambiante constitue une barrière de moins pour passer au stade des applications. Le journal du CNRS souligne qu'après un premier brevet international de conception de mémoires moléculaires à base de matériaux à transition de spin, déposé en 2004, c'est aujourd'hui une nouvelle étape qui est franchie avec la possibilité d'un stockage moléculaire par voie optique (lecture et écriture). Par ailleurs, la même équipe en collaboration avec une équipe japonaise et une équipe espagnole ont découvert une molécule qui pourrait servir de base à une électronique à trois bits.
